该产品的推出，不仅是对市场需求的精准把握，更是英飞凌在半导体技术领域的深厚积累和创新能力的体现。CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，其高电压和开关频率性能尤为突出，即使在严格的工作环境下，也能确保系统的可靠性不受影响。

　　而它采用的TO-247PLUS-4-HCC封装，具有出色的电气性能，爬电距离和电气间隙分别为14mm和5.4mm，为产品在实际应用中的稳定工作提供了有力保障。此外，该半导体器件的较低开关损耗，使其特别适用于太阳能（如组串逆变器）、储能系统和电动汽车充电等应用，有效提升了这些领域的能效表现。

　　英飞凌的这一创新产品，不仅满足了市场对高功率密度、高电压和高开关频率的需求，更以其卓越的性能和可靠性，推动了太阳能、储能系统和电动汽车充电等领域的快速发展。未来，随着技术的不断进步和市场的持续扩大，我们有理由相信，英飞凌将继续以其创新的产品和解决方案，引领半导体行业的发展，为全球客户提供更优质的服务和体验。

　　系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，

　　V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度 /

　　G2 /

　　系列推动汽车和工业解决方案的发展 /

　　进一步推动碳化硅技术的发展 /

　　市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量

　　M1H /

　　。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。