上市后，公司谋求向电子材料转型，通过先后收购华飞电子（硅微粉）、UP Chemical（前驱体&SOD）、科美特（电子特气）、LG 彩色光刻胶资产、COTEM（TFT 光刻胶）等，公司成功切入前驱体材料、SOD 材料、光刻胶及电子特气等领域，现已形成以电子材料业务为核心，以 LNG 保温绝热板材业务为补充的国内半导体材料平台型龙头。

　　公司目前业务主要可以分为半导体材料、面板光刻胶及其他业务，其中半导体材料主要为半导体制造过程中使用到的前驱体、SOD、电子特气以及球形硅微粉，产业链布局全面；公司面板光刻胶业务包括彩色光刻胶以及正在建设的 TFT 光刻胶，产品向高端化发展；其他业务中除阻燃剂外体量较小，而阻燃剂业务目前已签订出售合同，预计对公司后续影响小。

　　客户涵盖全球主流晶圆制造商。随着战略重心向半导体材料业务倾斜，公司客户逐渐覆盖全球主流晶圆制造商及国内外主要面板厂商，包括海力士、三星、镁光、台积电、中芯国际、海力士、三星、英特尔、LG、京东方等。

　　公司前瞻布局半导体、面板关键的卡脖子材料领域，成功切入半导体前驱体/SOD、光刻胶、电子特气等关键材料领域，新业务不断驱动公司收入规模扩张。

　　与此同时，传统阻燃剂业务持续收缩，业务占比由 2016 年的九成以上降至目前的 12.11%，未来，随着公司持续聚焦半导体材料等新兴板块，传统业务占比将继续收缩。

　　利润率方面，公司毛利率、净利率分别从 2016 年的 23.26%、7.58%提升至 2019 年的 37.14%、17.05%，主要系以半导体材料为代表的新业务发展迅速。

　　2021 年，公司毛利率、净利率下滑至 25.76%、9.02%，主要系 2020 年 9 月起并购获得的面板光刻胶业务开始并表且实行新的收入准则调整将与销售业务相关的运输费用调入营业成本科目，带动收入大幅上升，毛利率水平有所下降。不过，随着面板光刻胶业务代工合同到期，公司盈利能力正快速修复，1Q22 毛利率和净利率均大幅提升，分别达到 31.85%和 16.02%。

　　费用率方面，收入准则变更导致销售费用率同比减少；2018、19 年由于拓展 LNG 保温材料业务，管理费用率较高，至 2020 年已进入稳定发展阶段，管理费用率下降，2021 年公司整合江苏科特美影响消除，管理费用率进一步下降。

　　2017 年起公司陆续拓展前驱体、光刻胶、电子特气等半导体材料业务，低毛利率的传统阻燃剂业务收入占比自 2016 年的 88.13%下降至 2021 年的 12.12%。同时，光刻胶及配套试剂 2021 年收入占比提升至 32.12%，毛利率 13.76%；前驱体&SOD 收入占比提升至 22.33%，毛利率 40.88%；电子特气收入占比提升至 10.42%，毛利率 40.17%。（报告来源：远瞻智库）

　　股权结构集中，积极定增扩建产能。公司股权结构集中，沈氏家族为公司实控人，共持股 47.32%，其中董事长沈琦持股 22.0%、沈馥持股 20.18%、沈锡强持股 1.92%，窦靖芳和骆颖均持有 0.48%。2021 年 9 月，公司非公开发行 1307 万股，募资 11.9 亿元，占发行前总股本的 2.7%，投向光刻胶及配套试剂、华飞电子封装材料、电子级六氟化硫和电子级四氟化碳技改项目。

　　公司通过并购及自研，各产品均达行业领先标准。前驱体&SOD 方面，通过收购 UP Chemical 打破国外垄断，High-K 前驱体产品的技术指标达到世界主流客户的工艺要求，拥有上百项专利和 know-how；光刻胶方面，收购获得了 37 项韩国专利和 28 项韩国境外专利。

　　2020 年公司加大研发力度，增加研发投入，硅微粉方面，通过自主研发获得 4 项相关发明专利，配方及工艺达到业内先进水平；2021 年公司加大研发投入，研发人员较 2020 年大幅增加，重点研发 LNG 薄膜型围护系统（MARKⅢ型）深冷绝缘复合材料及工艺，提前为未来快速增长的 LNG 材料市场布局。

　　公司管理层具有丰富的管理经验和深厚的行业理解。董事长及高管多为商科背景，同时深耕专业领域多年，通过敏锐的商业判断能力完成了对国外优质企业资产的收购，并计划剥离传统的阻燃剂业务，大刀阔斧地完成企业转型，突破日韩企业在国内相关领域的垄断地位。

　　董事长、沈琦先生，大专学历，高级经济师。1998 年开始担任雅克化工总经理，董事长。 在阻燃剂行业具有多年的技术，管理，市场经验。2006 年被全国石油化学工业协会评为优 秀民营企业家，2007 年被评为宜兴市优秀厂长经理，2008 年被评为无锡市十佳青年企业 家。现任本公司董事长兼总经理，兼任欧洲先科董事和美国先科总裁。

　　副董事长沈锡强先生，高级经济师。1964 年至 1992 年任宜兴市香料厂厂长，1992 年至 1997 年担任无锡申新化工有限公司董事长，1997 年开始担任江苏雅克化工有限公司副董事长。曾荣获无锡市劳动模范，无锡市优秀党员，宜兴市优秀厂长经理等荣誉称号。兼任中国阻燃学会副主任委员，中国塑料加工工业协会副会长，宜兴市国际商会副会长，宜兴市上市公司协会名誉会长，赣州云锦投资管理有限公司监事并占有其 25%股份，江苏雅克液化天然气工程有限公司股东，占 8.33%股份。

　　董事沈馥先生获英国埃克塞特大学工商管理硕士学位。曾在苏州丝绸纺织轻工工艺品进出口贸易有限公司工作。2002 年 7 月起历任上海雅克执行董事，欧洲先科董事长，雅克化工营销副总。现任本公司董事，副总经理，兼任上海雅克化工有限公司总经理，先科化学欧洲有限公司董事长，斯洋国际有限公司董事，滨海雅克化工有限公司执行董事兼总经理，浙江华飞电子基材有限公司执行董事兼总经理，江苏雅克液化天然气工程有限公司执行董事兼总经理。

　　董事蒋益春先生本科学历，工程师。历任宜兴化肥厂生产科副科长，无锡申新化工有限公司工程师，江苏雅克化工有限公司副总经理。现任江苏雅克科技股份有限公司副总经理。

　　董事杨征帆先生，英国布里斯托大学计算机系全球计算专业，硕士研究生学历。曾任开元 (北京)城市发展基金管理有限公司高级经理，华芯投资管理有限责任公司投资一部高级经理，资深经理等职务，2017 年 2 月至今任华芯投资管理有限公司投资三部副总经理。

　　监事会主席秦建军先生，本科学历，现任本公司产品经理，监事会主席。曾在金陵石化公司塑料厂任技术员，工艺员；2003 年 11 月至今在本公司任产品经理；2010 年 12 月起担任公司监事。

　　半导体是指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，其下游应用十分广泛，包括集成电路，通讯系统，光伏发电，人工智能等领域。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，其中硅是商业应用上最具有影响力的一种。

　　中国集成电路芯片市场容量快速扩大，带动半导体材料需求增加。据中国半导体行业协会 （CSIA）统计，2015 年中国集成电路市场为 3610 亿元，2020 年增长至 8848 亿元，年复 合增速达到 19.64%。

　　2020 年我国集成电路芯片产量达到 2339 亿块，同比增长 15.9%。根据 SEMI 数据，2015 年全球半导体材料市场规模为 432.9 亿美元，2020 年增长至 553.0 亿美元，年复合增速达到 5.02%。

　　半导体材料使用主要集中在制造和封装两大环节，一般来说，半导体材料可分为晶圆制造材料和封装材料。其中，晶圆制造材料包括硅片、电子特气、光掩模、光刻胶、光刻胶辅助材料、抛光材料等；封装材料包括引线框架、封装基板、陶瓷基板等。制造环节的材料技术门槛较高，目前主要被欧美、日本和韩国的材料生产商主导。

　　前驱体是半导体制造的核心材料之一，主要应用于薄膜沉积工艺。化学性质上半导体前驱体为携有目标元素，呈气态或易挥发液态，具备化学热稳定性，同时具备相应的反应活性或物理性能的一类物质。在半导体制造过程中，前驱体主要应用于薄膜沉积环节，以形成符合半导体制造要求的各类薄膜层，也可用于氧化环节以减少硅衬底消耗及互连环节。

　　薄膜沉积三大方法为物理沉积 PVD、化学气相沉积 CVD 和原子气相沉积 ALD。其中 ALD 成膜均匀性好、薄膜密度高、台阶覆盖性好、可以实现低温沉积(50℃~500℃)，更符合晶圆小尺寸化趋势，是未来主流。ALD 方法下，High-k、金属前驱体是未来的发展趋势。

　　前驱体按用途可分为 High-k 前驱体、Low-k 前驱体、氧化硅及氮化硅前驱体、金属及金属氮化物前驱体等：

　　（1）高介电常数前驱体（High-k）：主要用于 45nm 及以下半导体制造工艺流程，应用于 存储、逻辑芯片的 CVD 和 ALD 沉积成膜技术中，形成集成电路中的电容介质或栅极电介 质，解决器件微缩及漏电问题，可将漏电降至传统工艺的 10 分之一左右，大幅提升良率； 也可应用于柔性 OLEDALD 工艺，保护有机发光材料不受氧气、水汽的影响，提升整体性 能和寿命。

　　（2）氧化硅及氮化硅前驱体主要用于 20nm 以下存储、逻辑芯片制造光刻工艺中最主流的 微影技术（双重微影技术，DPT），用于侧壁空间层（SpacerLayer）、形成栅极侧壁氧化硅或氮化硅以保护起到控制作用的栅极，从而延长集成电路使用寿命，还应用于柔性 OLEDALD 工艺。

　　（3）金属及金属氮化物前驱体主要用于存储、逻辑芯片中的电容电极、栅极过渡层、隔离 材料，有利于制备更小电容器；也可用于相变存储器中的相变材料，可以提高存储数据的速度。28nm 工艺节点开始使用 ALD HKMG 技术，其利用 High-k 材料代替传统的 SiO2（或 SiON）作为栅介质层，采用金属栅代替多晶硅栅，由此增加 High-k 和金属前驱体的需求， 决定了未来应用于 ALD 技术前驱体的主流趋势。

　　从下游应用来看，存储器是集成电路最重要的细分领域之一，DRAM 和 NAND Flash 是最 核心的存储类型。集成电路产业可细分为存储器，微处理器，逻辑电路和模拟电路等应用领域，其中，存储器占集成电路比重超 30%。DRAM 和 NAND Flash 是最重要的两种存储产品类型，合计占市场份额超过 95%。2020 年存储器 IC 市场总收入达到约 1220 亿美元，同比增长 15%。

　　近年， NAND Flash 制造技术向 3D 技术发展，以适应小体积、大容量的市场需求，通过增加立体 硅层的方式，既能提高单位面积存储密度，增加容量，又能改善存储单元性能，控制成本；

　　在制造方面，与平面器件显著不同之处在于垂直集成放宽了对 3D NAND 器件的光刻要求， 而是将最复杂的工艺挑战转移到沉积和刻蚀上，3D 结构中，需要进行几十层甚至上百层薄 膜堆叠材料的生长，即随着堆叠层数逐渐增加，前驱体单位用量将翻倍增长，此时深宽比也不断加深，高深宽比孔道需要纵向和横向沉积单位价值量更高的 High-k 等前驱体。

　　DRAM 制程越先进/深宽比越深，前驱体用量越多/价值越高。DRAM 的技术发展路径本质是以微缩制程来提高存储密度，芯片制程越先进，尤其是 20nm 以下存储、逻辑芯片制造光刻工艺中最主流的双重微影技术，以及 HKMG 技术运用越广泛，由此驱动氧化硅及氮化硅、High-k、金属前驱体的单位用量大幅提升。同时电容是电容器表面积和介电常数的函数，还与介电材料厚度成反比，因此，增大电容器表面积、增大介电常数以及降低介电材料的厚度是改善电容器的存储性能的三种方法，而随着制程微。